- Packung enthält: 10 Stück IRF9540 MOSFET-Transistoren
- Vorschriften: MAX Drain-Strom 23A, MAX Spannung Vds 100V, Max Leistung 140W
- Betriebstemperatur:-55 °C bis +175 °C
- Transistor-Polarität: PMOS P-Kanal-Transistor. Gekapseltes To-220AB-Gehäuse
- Anwendung: Zur Anwendung bei Hochleistungsschalt- und Signalverstärkungsanwendungen in elektronischen Geräten.
- ALLECIN 2N7000 ist eine inline-triode – perfekt geeignet für verschiedene elektronische experimente.
- Spannung: 60V; Strom: 200 mA; Paket: TO-92.
- Merkmale: Spannungsgesteuerter kleinsignalschalter & Robust und zuverlässig & Hohe sättigungsstromfähigkeit.
- Weit verbreitete anwendung: Niederspannungs und schwachstromanwendungen & Schaltnetzteile & Audioverstärker & Anwendungen mit variabler schaltleistung.
- Humanisierte verpackung für einfache lagerung und verwendung. Bitte überprüfen sie die größe, nennstrom und nennspannung sorgfältig vor dem kauf.
- Anwendung : Wird typischerweise in Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärkung, Signalverarbeitung und Energiemanagementanwendungen eingesetzt.
- Verpackung : Gesichert in einem antistatischen Beutel, der elektrostatischen Schutz, ESD-Sicherheit und eine längere Haltbarkeit bietet.
- Spezifikation : N-Kanal-Transistor. Spannung : 30 V und Strom : 5,7 A, Mindesttemperatur -55 °C, Höchsttemperatur 150 °C ± 30 °C.
- HINWEIS : Wenn das Gerät über längere Zeiträume den absoluten Höchstwerten ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.
- 2 x Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) N-Kanal 85 V 120 A TO-263 CRSS052N08N
- Beneking, Heinz(Autor)
- Übersicht: TO92 N-Kanal FET BF 245A, Strom: 10mA
- Original Transistoren Bipolar Junction Triode
- Für: Elektronisches DIY-Projekt
- 50 Stück Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) SI2301 SOT-23 SI2301
- Platzsparend – SOT-23-Footprint passt auf dichte Leiterplatten in Laptops, Smartphones und tragbaren Geräten.
- Hohe Leistung – P-Kanal-MOSFET mit 4,2 A Dauer-Drainstrom und 30 V Drain-Source-Spannung für effizientes Schalten der Leistung.
- Zuverlässige Leistung – Stabiler Betrieb von -55 °C bis 175 °C für Industrie-/Unterhaltungselektronik.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit – Optimiert für Hochfrequenzanwendungen wie DC-DC-Wandler, Lastschalter und Batterieschutz.
- Paket – 100 Stück für Ersatz, Reparaturen oder Heimwerkerprojekte.
- N-Kanal-MOS-Röhre: Diese 50-teilige N-Kanal-Feldeffekttransistor-A09T-MOS-Röhre ist speziell als Ersatz für AO3400 und AO3400A konzipiert und gewährleistet Kompatibilität und Zuverlässigkeit für verschiedene elektronische Anwendungen, bei denen Platinenplatz knapp ist.
- Elektrische Spezifikationen: Mit einer Nennspannung von 30 V und einer Strombelastbarkeit von 5,8 A zeigt diese MOS-Röhre eine starke Leistung im Umgang mit elektrischen Lasten. Ihr niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste und erhöht die Energieeffizienz. Dies trägt zum optimalen Betrieb der integrierten Schaltkreise bei. Minimale Temperatur: -55 °C, maximale Temperatur: 150 °C ± 30 °C.
- Breites Anwendungsspektrum: Diese A09T-MOS-Röhre ist für eine Vielzahl elektronischer Geräte und Schaltkreise geeignet und kann in Energieverwaltungssystemen, DC-DC-Wandlern, Motorsteuerungsschaltkreisen und verschiedenen anderen Anwendungen verwendet werden, die effizientes Schalten und Verstärken erfordern.
- Zuverlässige und stabile Leistung: Hergestellt mit Materialien und fortschrittlicher Technologie, gewährleistet diese MOS-Röhre stabile Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen. Sie verfügt über gute Wärmeableitungseigenschaften, die zur Aufrechterhaltung der Leistung und Verlängerung der Lebensdauer beitragen und Anwendern eine zuverlässige Komponente für ihre Projekte bieten.
- Praktisches 50er-Set: Das Paket enthält 50 Stück dieser MOS-Röhren. Sie bieten ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis und gewährleisten einen ausreichenden Vorrat für mehrere Projekte oder Ersatzteile. Jede Röhre wird sorgfältig geprüft und erfüllt strenge Qualitätsstandards, sodass Sie sich auf ihre Leistung und Funktionalität verlassen können.
- Übersicht: TO92 N-Kanal FET BF 245A, Strom: 10mA
- Original Transistoren Bipolar Junction Triode
- Für: Elektronisches DIY-Projekt
- Hochwertige Leistung: AO3401 P-Kanal Enhancement Mode MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit einer Sperrspannung von 30 V und einem maximalen Drainstrom von 4,2 A für zuverlässige Schaltanwendungen.
- Extrem niedriger Durchlasswiderstand: Dank hochdichtem Zelldesign erreicht der MOSFET einen RDS(ON) von unter 50 mΩ, wodurch Leistungsverluste reduziert und die Effizienz verbessert werden.
- Geringe Gate-Ladung: Die niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelle Schaltvorgänge und eignet sich ideal für Hochfrequenzschaltungen, PWM-Steuerungen und energieeffiziente Designs.
- Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Geeignet für Energiemanagement, Lastschalter, Spannungswandler, Batteriemanagementsysteme, Signalverarbeitung, HF-Anwendungen sowie DIY-Elektronik- und Reparaturprojekte.
- Praktisches 100er-Set: Lieferumfang mit 100 AO3401 MOSFET-Transistoren im kompakten SOT-23-SMD-Gehäuse für Serienfertigung, Prototyping und den professionellen Elektronikbedarf.
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